“各位董事，要是euv&nbp;联盟在未来二年内从理论上证明研制euv光刻机的技术可行，将这个宝贵的机会和重任交给ga，公司不可能放弃，但投资巨大，半导体产业陷入衰退又不可避免，避免两线作战，造成资金捉襟见肘，我们只能将重心放在euv光刻机的研制上。我建议艾德里安先生和汤普森院长出面找vg商谈，联合开发157n激光器。”
孙健估计，euv&nbp;联盟在明年底前就能证明制造euv光刻机在理论上的可行性，但euv光刻机量产最起码还需要10年，如今也不能告诉大家，到时由be免费提供193n浸没式光刻机专利技术给ga。
be是在ga拥有的第一代193narf准分子激光器专利技术基础上研发成功193n浸没式光刻机技术，核心还是ga拥有技术专利的193n准分子激光器，ga研制的第二代、第三代193n准分子激光器也授权be技术；虽然浸没式光刻技术属于be重新开发的公司发明专利，但按照当初签订的专利技术授权转让合同，要免费授权给ga使用，就像ga去年研发成功的第三代（12英寸晶圆、90n制程工艺）磁悬浮式双工作台系统，专利还是属于be，授权ga免费使用。
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